| 型号： | IPD16CNE8N G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPD16CNE8N G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 53A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 61µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3230pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000096455 |